特許

J-GLOBAL ID：201203033359590918

窒化物半導体装置及び窒化物半導体装置の製造方法

発明者： 山田 康博 ,  好田 慎一 ,  清水 順 ,  石田 昌宏
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-144298
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009630
出願日： 2010年06月24日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】高耐圧化した窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置200は、シリコン基板201上に形成されたバッファ層220と、バッファ層220上に形成された第1の窒化物超格子層204aと、第1の窒化物超格子層204a上に形成された活性領域層230とを備え、バッファ層220は、不純物がドープされた第2の窒化物超格子層204bと、第2の窒化物超格子層204b上に形成され、不純物がドープされた第1の窒化物半導体層205と、第1の窒化物半導体層205上に形成され、第1の窒化物半導体層205よりもAl組成及び不純物の濃度が高い第2の窒化物半導体層206とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された第1の窒化物超格子層と、 前記窒化物超格子層上に形成された活性領域層とを備え、 前記バッファ層は、 不純物がドープされた第2の窒化物超格子層と、 前記第2の窒化物超格子層上に形成され、前記不純物がドープされた第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層上に形成され、前記第1の窒化物半導体層よりもAl組成及び前記不純物の濃度が高い第2の窒化物半導体層とを有する 窒化物半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (33件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA57 ,  5F045DA66 ,  5F045EB13 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01