電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：特許業務法人YKI国際特許事務所 , 大賀眞司 , 百本宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004320
公開番号（公開出願番号）：特開2012-156502
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：

【課題】高い移動度と優れた安定性を持つ薄膜トランジスタと、それを用いた電子機器を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタの活性層は、2層の半導体層を備えている。第1の副層は、特定構造のポリチオフェンとカーボンナノチューブとを含む。第2の副層は、特定構造のポリチオフェンを含み、カーボンナノチューブを含まない。2層の半導体層を形成した後、これらの半導体層を一緒にアニールしても良い。カーボンナノチューブはポリチオフェンを含む分散液の塗布により成膜される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体二層を備えており、この半導体二層が、第1の半導体およびカーボンナノチューブを含み、第1の半導体がポリチオフェンである第1の副層と; 第2の半導体を含む第2の副層とを備える、電子機器。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (9件)：

H01L29/78 618E , H01L29/78 618B , H01L29/78 627F , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/28 250G , H01L29/28 250E , H01L29/28 310A

Fターム (42件)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110NN33

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