特許

J-GLOBAL ID：201203033752235020

磁気記録素子および不揮発性記憶装置

発明者： 才田 大輔 ,  天野 実 ,  伊藤 順一 ,  大沢 裕一 ,  柏田 沙織 ,  鎌田 親義 ,  高橋 茂樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-209390
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064863
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】書き込みに必要な電流を低減させることができる磁気記録素子および不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施態様によれば、第1積層部と第2積層部とを備えた磁気記録素子が提供される。第1積層部は、膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が実質的に固着された第1の強磁性層と、磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2の強磁性層と、第1、第2の強磁性層の間に設けられた第1の非磁性層と、を含む。第2積層部は、磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第3の強磁性層と、膜面に対して垂直な成分を有する第2の方向に磁化が実質的に固着された第4の強磁性層と、第3、第4の強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層と、を含む。第1の方向は、第2の方向と逆である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に対して垂直な成分を有する第1の方向に磁化が実質的に固着された第1の強磁性層と、 磁化の方向が膜面に対して垂直な方向に可変である第2の強磁性層と、 前記第1の強磁性層と前記第2の強磁性層との間に設けられた第1の非磁性層と、 を含む第1積層部と、 磁化の方向が膜面に対して平行な方向に可変である第3の強磁性層と、 膜面に対して垂直な成分を有する第2の方向に磁化が実質的に固着された第4の強磁性層と、 前記第3の強磁性層と前記第4の強磁性層との間に設けられた第2の非磁性層と、 を含む第2積層部と、 を含む積層体を備え、 前記第1の方向は、前記第2の方向と、逆であり、 前記積層体の各層の膜面に対して略垂直な方向に電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第2の強磁性層に作用させ、且つ前記第3の強磁性層の磁化を歳差運動させることにより発生する磁場を前記第2の強磁性層に作用させることにより、前記第2の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気記録素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 U

Fターム (36件)：

4M119AA03 ,  4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  5F092AB08 ,  5F092AB10 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC47 ,  5F092BE06 ,  5F092FA09