特許
J-GLOBAL ID:201203033814623714

微細ワイヤ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 寺本 光生 ,  志賀 正武 ,  西 和哉 ,  高橋 久典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-234219
公開番号(公開出願番号):特開2012-056843
出願日: 2011年10月25日
公開日(公表日): 2012年03月22日
要約:
【課題】1ナノメートルよりも細い微細ワイヤを提供する。【解決手段】24個のシリコン(Si)原子のみからなり、六角形かつ平行対峙する2個の平行面と12個の五角形の面とからなる14面体構造のクラスタを、内部エネルギが最小化するように各シリコン(Si)原子の位置を調整して複数連結してなる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
24個のシリコン(Si)原子のみからなり、六角形かつ平行対峙する2個の平行面と12個の五角形の面とからなる14面体構造のクラスタを、内部エネルギが最小化するように各シリコン(Si)原子の位置を調整して複数連結してなることを特徴とする微細ワイヤ。
IPC (3件):
C01B 33/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
FI (3件):
C01B33/02 Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00
Fターム (7件):
4G072AA01 ,  4G072BB20 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072NN11 ,  4G072TT01 ,  4G072UU01
引用文献:
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