特許
J-GLOBAL ID:201203034350310684
電極形成用のペースト、端子電極及びセラミック電子部品
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-169619
公開番号(公開出願番号):特開2012-033291
出願日: 2010年07月28日
公開日(公表日): 2012年02月16日
要約:
【課題】良好な焼結性を有し、大気雰囲気下で焼付けても優れた導電性を維持することが可能であるとともに、セラミック電子部品の製造コストを低減することが可能な端子電極用のペーストを提供すること。【解決手段】金属成分を含有する電極形成用のペーストであって、金属成分は、貴金属と卑金属とを含有し、貴金属は、(1)銀、又は(2)銀及びパラジウムの組み合わせ、を含有し、卑金属は、(3)銅及びニッケルを含有し、銅及びニッケルの合計に対するニッケルの含有量が10〜80質量%である成分、並びに(4)銅及びインジウムを含有し、銅及びインジウムの合計に対するインジウムの比率が0.3〜8質量%である成分、の少なくとも一方を含有し、卑金属に対する貴金属の比率が4〜50質量%であるペーストである。【選択図】なし
請求項(抜粋):
金属成分を含有する電極形成用のペーストであって、
前記金属成分は、貴金属と卑金属とを含有し、
前記貴金属は、(1)銀、又は(2)銀及びパラジウムの組み合わせ、を含有し、
前記卑金属は、(3)銅及びニッケルを含有し、銅及びニッケルの合計に対するニッケルの比率が10〜80質量%である成分、並びに(4)銅及びインジウムを含有し、銅及びインジウムの合計に対するインジウムの比率が0.3〜8質量%である成分、の少なくとも一方を含有し、
前記卑金属に対する前記貴金属の比率が4〜50質量%であるペースト。
IPC (4件):
H01B 1/20
, H01G 4/252
, H01G 4/12
, H01G 4/30
FI (4件):
H01B1/20 A
, H01G1/14 V
, H01G4/12 361
, H01G4/30 301B
Fターム (12件):
5E001AC09
, 5E001AC10
, 5E001AF00
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5G301DA03
, 5G301DA06
, 5G301DA10
, 5G301DA11
, 5G301DA34
, 5G301DD01
引用特許:
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