特許

J-GLOBAL ID：201203034369637536

低分子半導体

発明者： アンソニー・ウィグルスワース ,  イリアン・ウー ,  ピン・リウ ,  マシュー・エイ・ホイフト
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (3件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所 ,  大賀 眞司 ,  百本 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-270571
公開番号（公開出願番号）：特開2012-134482
出願日： 2011年12月09日
公開日（公表日）： 2012年07月12日
要約：

【課題】高い移動度および良好な膜形成性を示す半導体化合物を提供する。【解決手段】下式の低分子半導体。〔R1、R2は、アルケニル、アルキニル、アリール、アルコキシ、アルキルチオ等〕【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(I)の低分子半導体。

IPC (5件)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  C07D 495/04

FI (5件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  C07D495/04 101

Fターム (49件)：

4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071BB01 ,  4C071BB06 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG03 ,  4C071KK11 ,  4C071LL05 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27