特許
J-GLOBAL ID：201203035442218977
結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-209045
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064839
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：
【課題】単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置において、集電極の電気抵抗値を低くすることによって集電極での抵抗損を減らし、光電変換効率に優れ、生産性も向上した結晶シリコン太陽電池を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板の片面に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、p型シリコン系薄膜層をこの順に有し、他面に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、n型シリコン系薄膜層をこの順に有する結晶シリコン太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板は、前記単結晶シリコン基板表面上にテクスチャ構造を有し、前記テクスチャ構造は光入射面側の光受光部と集電極部で高さがことなり、光受光部で3μm以上15μm以下であり、集電極部で0.1μm以上0.5μm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の片面に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、p型シリコン系薄膜層をこの順に有し、他面に、実質的に真性なシリコン系薄膜層、n型シリコン系薄膜層をこの順に有する結晶シリコン太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板表面上にテクスチャ構造を有し、前記テクスチャ構造は光入射面側の光受光部と集電極部で高さがことなり、光受光部で3μm以上30μm以下であり、集電極部で0.1μm以上0.5μm以下であることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F151AA02
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151DA04
, 5F151FA03
, 5F151FA10
, 5F151GA04
