歪み処理複合半導体基板及びそれを形成する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：池田成人 , 山口和弘 , 野田雅一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-541617
公開番号（公開出願番号）：特表2012-513113
出願日： 2008年12月19日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】支持基板上に歪みIII族窒化物材料シード層を含む複合基板を作製する新規な方法を提供する。【解決手段】複合基板を作製する方法は、III族窒化物材料において所望の格子歪みを発生させて、複合基板上に形成すべきデバイス構造の格子定数に実質的に適合する格子定数を得るステップを含む。III族窒化物材料は、Ga極性又はN極性で形成され得る。所望の格子歪みは、III族窒化物材料と成長基板の間にバッファ層を形成するか、III族窒化物材料中にドーパントを注入するかあるいは不純物を導入して、その格子定数を変化させるか、又は熱膨張係数(CTE)を有するIII族窒化物材料を異なるCTEを有する成長基板上に形成することによって発生され得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を製造する方法であって、所望の格子歪みを有する第1の基板上にIII族窒化物材料と、該III族窒化物材料の第1の表面上にGa面と、該III族窒化物材料の第2の表面上にN面を形成することによって、歪みドナー構造を形成するステップと、接着表面を選ぶステップであって、該接着表面が、N極性複合基板を形成する該第1の表面又はGa極性複合基板を形成する該第2の表面である、前記ステップと、該歪みドナー構造における弱くなったゾーンを所定の深さで形成して、該接着表面と該弱くなったゾーンの間に歪みシード層と、該弱くなったゾーンと該接着表面の反対の表面の間に残りの歪みドナー構造とを画成するステップと、該III族窒化物材料の該接着表面に支持基板を結合するステップと、該残りの歪みドナー構造を該歪みシード層から該弱くなったゾーンで分離して、該支持基板と該歪みシード層とを備える歪み複合基板を形成するステップと、を含む、前記方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 21/02

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L27/12 B , H01L21/02 B

Fターム (22件)：

5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LP01 , 5F152LP02 , 5F152LP07 , 5F152LP09 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM11 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN06 , 5F152NN07 , 5F152NN13 , 5F152NP09 , 5F152NP10 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ09

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