特許
J-GLOBAL ID:201203035983452387

アモルファスカーボン及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  鈴木 光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-192713
公開番号(公開出願番号):特開2012-049472
出願日: 2010年08月30日
公開日(公表日): 2012年03月08日
要約:
【課題】欠陥密度の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るアモルファスカーボンは、フッ素濃度が5×10-5〜3%(atm)であり、少量のフッ素原子を導入したフッ素化アモルファスカーボンである。これにより、アモルファスカーボン中の欠陥数を減少させることができ、欠陥密度の低いアモルファスカーボンが実現可能となる。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
フッ素濃度が5×10-5〜3%(atm)であることを特徴とする、 アモルファスカーボン。
IPC (1件):
H01L 21/205
FI (1件):
H01L21/205
Fターム (17件):
5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AF02 ,  5F045CA13 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH02 ,  5F045HA16

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