特許

J-GLOBAL ID：201203036571277218

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 大野 浩志 ,  彦坂 年輝 ,  森岡 友子 ,  岡 俊行 ,  布上 真也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-272585
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124257
出願日： 2010年12月07日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、n形半導体層を含む第1半導体層と、p形半導体層を含む第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層、と前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第1半導体層は、第1凹凸と、第2凹凸と、を有する。前記第1凹凸は、前記第1半導体層の前記発光部とは反対の側の第1主面に設けられる。前記第2凹凸は、前記第1凹凸の底面と頂面とに設けられる。前記第2凹凸は、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n形半導体層を含む第1半導体層と、 p形半導体層を含む第2半導体層と、 前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む発光部と、 を備え、 前記第1半導体層は、 前記第1半導体層の前記発光部とは反対の側の第1主面に設けられた第1凹凸と、 前記第1凹凸の底面と頂面とに設けられ、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する第2凹凸と、 を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/22

FI (1件)：

H01L33/00 172

Fターム (12件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F141AA03 ,  5F141AA40 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA46 ,  5F141CA74

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エピタキシャル成長用基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-087789   出願人：DOWAエレクトロニクス株式会社
• 多重パターン構造を有する半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-121093   出願人：三星電機株式会社, 財団法人ソウル大学校産学協力財団