特許

J-GLOBAL ID：201203036871213009

半導体記憶装置、及び記憶媒体

発明者： 山川 淳二郎 ,  槻舘 美弘
出願人/特許権者： 株式会社サムスン横浜研究所
代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-278481
公開番号（公開出願番号）：特開2012-128900
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】ガベージコレクション処理による処理負荷を軽減し、ガベージコレクション処理の処理時間を短縮する。【解決手段】フラッシュメモリ10は、予め定められたデータサイズ領域を示すページ単位でデータを書き込み可能な不揮発性記憶部11と、不揮発性記憶部11の指定された領域であって、複数のページを含む該指定された領域における有効データを一時記憶する記憶部12と、不揮発性記憶部11のページに有効なデータがあるか否かを示すアドレスマップ情報に基づいて、指定された領域における有効データを記憶部12に記憶させた後に、記憶部12に記憶された有効データを連続したページに書き込むガベージコレクション処理、及びガベージコレクション処理によって変更されたアドレスマップ情報を出力する処理を実行するコントロールロジック部13とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

予め定められたデータサイズ領域を示すページ単位でデータを書き込み可能な不揮発性記憶部と、 前記不揮発性記憶部の指定された領域であって、複数の前記ページを含む該指定された領域における有効データを一時記憶する一時記憶部と、 前記不揮発性記憶部の前記ページに有効なデータがあるか否かを示す管理情報に基づいて、前記指定された領域における有効データを前記一時記憶部に記憶させた後に、前記一時記憶部に記憶された前記有効データを連続した前記ページに書き込むガベージコレクション処理、及び前記ガベージコレクション処理によって変更された前記管理情報を出力する処理を実行するロジック部と を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G06F 12/00 ,  G06F 12/02

FI (6件)：

G11C17/00 614 ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 601T ,  G11C17/00 611G ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/02 580B

Fターム (25件)：

5B060AA10 ,  5B060CA03 ,  5B060CA18 ,  5B125BA01 ,  5B125CA01 ,  5B125DA03 ,  5B125DB02 ,  5B125DC03 ,  5B125DD03 ,  5B125DD04 ,  5B125DD06 ,  5B125DD09 ,  5B125DE08 ,  5B125DE11 ,  5B125DE14 ,  5B125DE16 ,  5B125DE17 ,  5B125DE20 ,  5B125EA07 ,  5B125EA10 ,  5B125EF09 ,  5B125EK01 ,  5B125EK06 ,  5B125FA01 ,  5B125FA10