特許

J-GLOBAL ID：201203037833690827

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 小川 有人
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-200079
公開番号（公開出願番号）：特開2012-059833
出願日： 2010年09月07日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、 前記処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、前記基板の表面に形成された前記金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、 処理済基板を前記処理容器内から搬出する工程と、を有し、 前記処理を行う工程では、前記酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、前記所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、前記酸化源に含まれる酸素原子を、前記金属膜の表面に導入することで、前記金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/56

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/28 B ,  H01L27/10 651 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/56

Fターム (68件)：

4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030CA01 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC00 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104GG16 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF10 ,  5F045AF16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EH12 ,  5F045EK06 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F045HA20 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR12