特許
J-GLOBAL ID:201203038950526430

ガスセンサ素子及びガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 赤尾 謙一郎 ,  下田 昭 ,  栗原 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-035586
公開番号(公開出願番号):特開2012-173146
出願日: 2011年02月22日
公開日(公表日): 2012年09月10日
要約:
【課題】多孔質保護層を複数層にした際に生ずる、多孔質保護層に浸み込んだ水の凍結に起因した割れを防止したガスセンサ素子及びガスセンサを提供する。【解決手段】固体電解質体105、109と該固体電解質体に配置された一対の電極104、105、108、110とを有する検出素子部300、及びヒータ部200を積層してなり、長手方向に直交する向きの横断面が略矩形状をなす積層体と、積層体のうち測定対象ガスに晒される先端部の全周を被覆してなる多孔質保護層20と、を備えるガスセンサ素子100であって、多孔質保護層は、検出素子側に設けられる内側多孔質層21と、該内側多孔質層上に形成される外側多孔質層23とを備え、内側多孔質層の気孔率が外側多孔質層の気孔率より高く、さらに横断面において、積層体の2つの短辺及び2つの長辺上に位置する内側多孔質層における4部位の気孔率の差が10%以下である。【選択図】図3
請求項(抜粋):
固体電解質体と該固体電解質体に配置された一対の電極とを有する検出素子部、及び、絶縁セラミック体に通電により発熱するヒータを設けてなるヒータ部を積層してなると共に、長手方向に延びて当該長手方向に直交する向きの横断面が略矩形状をなす積層体と、前記積層体のうち測定対象ガスに晒される先端部の全周を被覆してなる多孔質保護層と、を備えるガスセンサ素子であって、 前記多孔質保護層は、検出素子側に設けられる内側多孔質層と、該内側多孔質層上に形成される外側多孔質層とを備え、 前記内側多孔質層の気孔率が前記外側多孔質層の気孔率より高く、 さらに、前記横断面において、前記積層体の2つの短辺及び2つの長辺上に位置する前記内側多孔質層における4部位の気孔率の差が10%以下であるガスセンサ素子。
IPC (2件):
G01N 27/419 ,  G01N 27/409
FI (3件):
G01N27/46 327H ,  G01N27/46 327C ,  G01N27/58 B
Fターム (11件):
2G004BB04 ,  2G004BC02 ,  2G004BC07 ,  2G004BD04 ,  2G004BF08 ,  2G004BF09 ,  2G004BF19 ,  2G004BF27 ,  2G004BG05 ,  2G004BH05 ,  2G004BH06

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