特許
J-GLOBAL ID：201203039353242002
半導体ウェーハ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040609
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178463
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：
【課題】 生産上のコスト増加要因をともなわずに、半導体ウェーハの外周ダレ(エッジロールオフ)が所望値内に改善された半導体ウェーハ及びそのような半導体ウェーハを製造する方法を提供する。【解決手段】 単結晶インゴットをスライスするスライス工程と、該スライス工程によって得られた半導体ウェーハの外周部を面取りし、面取り部を形成する面取り工程と、該面取りした半導体ウェーハを平坦化する平坦化工程と、該平坦化した半導体ウェーハの主面のうち少なくとも一方を研磨する研磨工程とを含む、半導体ウェーハの製造方法であって、前記研磨工程では、ROA及びESFQRの規格に応じて、所望の直径よりも0.3mm以下大きい直径の範囲、前記面取り部の面取り幅が50μm以上250μm以下の範囲で調節した前記平坦化した半導体ウェーハの主面のうち、少なくとも一方を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶インゴットをスライスして半導体ウェーハを得るスライス工程と、
該スライス工程によって得られた半導体ウェーハの外周部を面取りし、面取り部を形成する面取り工程と、
該面取りした半導体ウェーハを平坦化する平坦化工程と、
該平坦化した半導体ウェーハの主面のうち少なくとも一方を研磨する研磨工程とを含む、半導体ウェーハの製造方法であって、
前記研磨工程では、ROA及びESFQRの規格に応じて、所望の直径よりも0.3mm以下大きい直径の範囲、前記面取り部の面取り幅が50μm以上250μm以下の範囲で調節した前記平坦化した半導体ウェーハの主面のうち、少なくとも一方を研磨することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 601B
, H01L21/304 621B
, B24B1/00 A
3C049AA07
, 3C049BA02
, 3C049BA07
, 3C049CA05
, 3C049CB05
, 5F057AA03
, 5F057AA12
, 5F057CA09
, 5F057CA11
, 5F057CA36
, 5F057DA01
