特許
J-GLOBAL ID：201203040124164470
六方晶窒化ホウ素構造およびその熱処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
, 谷 義一
, 濱中 淳宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-182402
公開番号（公開出願番号）：特開2012-041221
出願日： 2010年08月17日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】結晶構造が劣化していない、低抵抗の六方晶窒化ホウ素構造とその熱処理方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板11と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素12とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、1×1016から1×1020cm-3の範囲であることを特徴とする。単結晶六方晶窒化ホウ素は、基板温度900°C以上で熱処理してもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、
前記単結晶六方晶窒化ホウ素は、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、
前記不純物のドーピング濃度は、1×1016から1×1020cm-3の範囲である
ことを特徴とする六方晶窒化ホウ素構造。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 33/02
, C01B 21/064
C30B29/38 A
, C30B33/02
, C01B21/064 J
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE12
, 4G077DB08
, 4G077EB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FE02
, 4G077FE11
, 4G077HA02
