特許
J-GLOBAL ID：201203040581739977
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
北村 修一郎
, 東 邦彦
, 三宅 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-009760
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151342
出願日： 2011年01月20日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：
【課題】複数の半導体素子を有して構成される回路を樹脂により一体化するに際し、樹脂の膨張収縮に応じて半導体素子に作用する応力の影響を抑制する。【解決手段】半導体素子4を載置し、ベースプレート9の基準面Rに接着される複数の素子基板7と、基準面Rに沿って複数の素子基板7の周囲を囲むケース部材2とを備え、ケース内空間に素子基板7と半導体素子4とを覆う高さまでモールド樹脂3が充填される半導体装置100であって、ケース内空間を区画壁12によって複数のモールド空間11に区画する区画部材1を備える。区画壁12は、基準面に当接すると共に基準面Rからの高さH6がモールド樹脂3の充填高さH5よりも高くなるように構成される。複数のモールド空間11のそれぞれに少なくとも1つの素子基板7が収容されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ヒートシンクとなるベースプレートと、
一方の面が半導体素子を載置する載置面であり、他方の面が前記ベースプレートの基準面に接着される接着面である複数の素子基板と、
前記基準面に当接すると共に前記基準面に沿って複数の前記素子基板の周囲を囲むケース部材と、を備え、
前記基準面を底部とし前記ケース部材を周壁部として形成されるケース内空間に、前記素子基板と前記半導体素子とを覆う高さまでモールド樹脂が充填される半導体装置であって、
前記ケース内空間を区画壁によって複数のモールド空間に区画する区画部材を備え、
前記区画壁は、前記基準面に当接すると共に前記基準面からの高さが前記モールド樹脂の充填高さよりも高くなるように構成され、
前記複数のモールド空間のそれぞれに少なくとも1つの前記素子基板が収容されている半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/28 K
, H01L23/34 B
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA02
, 4M109DB01
, 4M109DB10
, 5F136DA01
, 5F136DA27
