特許

J-GLOBAL ID：201203040679931221

層状化合物及び超伝導体並びにそれらの製造方法

発明者： 細野 秀雄 ,  柳 博 ,  神谷 利夫 ,  松石 聡 ,  金 聖雄 ,  尹 錫奎 ,  平松 秀典 ,  平野 正浩 ,  野村 尚利 ,  神原 陽一
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2009062500
公開番号（公開出願番号）：WO2010-007929
出願日： 2009年07月09日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：

ペロブスカイト型銅酸化物超伝導体に代わる新しい非酸化物系化合物超伝導体の提供。 化学式AF(TM)Pn(ただし、Aは、長周期型周期表の2族元素の少なくとも1種、Fは、フッ素イオン、TMは、Fe,Ru,Os,Ni,Pd,Ptから選ばれる遷移金属元素の少なくとも1種、Pnは、長周期型周期表の15族元素の少なくとも1種である。)で示され、ZrCuSiAs型(空間群P4/nmm)の結晶構造を有し、特定の3価の陽イオン又は2価の陰イオンをドープすることにより超伝導体となる層状化合物。

請求項（抜粋）：

化学式AF(TM)Pn(ただし、Aは、長周期型周期表の2族元素の少なくとも1種、Fは、フッ素イオン、TMは、Fe,Ru,Os,Ni,Pd,Ptから選ばれる遷移金属元素の少なくとも1種、Pnは、長周期型周期表の15族元素の少なくとも1種である。)で示され、ZrCuSiAs型(空間群P4/nmm)の結晶構造を有し、3価の陽イオン又は2価の陰イオンをドープすることにより超伝導体となることを特徴とする層状化合物。

IPC (2件)：

C01G 1/00 ,  C01G 49/10

FI (2件)：

C01G1/00 S ,  C01G49/10

Fターム (11件)：

4G047JC16 ,  4G047KA18 ,  4G047KB02 ,  4G047KB05 ,  4G047KB13 ,  4G047KB17 ,  4G048AA06 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD03 ,  4G048AE06