特許

J-GLOBAL ID：201203040889731799

欠陥検査方法および半導体装置の製造方法

発明者： 松岡 康男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-020375
公開番号（公開出願番号）：特開2012-159448
出願日： 2011年02月02日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：

【課題】インプリントパターンの欠陥の有無の検査を効率化する。【解決手段】下地層1上に導電層2を形成し、導電層2上にインプリントパターン4を形成し、インプリントパターン4に電解液6を接触させ、電解液6に電極7を接触させ、導電層2と電極6との間に電圧を印加し、導電層2と電極7との間に流れる電流を計測し、その電流の計測結果に基づいてインプリントパターン4の欠陥の有無を判定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下地層上に導電層を形成するステップと、 前記導電層上にインプリントパターンを形成するステップと、 前記インプリントパターンに電解液を接触させるステップと、 前記電解液に電極を接触させるステップと、 前記導電層と前記電極との間に電圧を印加するステップと、 前記導電層と前記電極との間に電圧が印加された時に前記導電層と前記電極との間に流れる電流を計測するステップと、 前記電流の計測結果に基づいて前記インプリントパターンの欠陥の有無を判定するステップとを備え、 前記インプリントパターン上に前記電解液を選択的に吐出させ、前記電解液をショット単位または前記ショット内の一部の領域に吐出させ、前記電極はショットごとに分離され、検査対象となるショットに応じて前記電極を切り替えることを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (4件)：

G01N 27/20 ,  G01R 31/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01N27/20 Z ,  G01R31/00 ,  H01L21/30 502V ,  H01L21/30 502D ,  H01L21/66 Q

Fターム (45件)：

2G036AA20 ,  2G036AA25 ,  2G036BB12 ,  2G036CA06 ,  2G060AA06 ,  2G060AA09 ,  2G060AA19 ,  2G060AE01 ,  2G060AE04 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AF20 ,  2G060AG03 ,  2G060AG08 ,  2G060AG11 ,  2G060AG14 ,  2G060EA03 ,  2G060EA04 ,  2G060EA07 ,  2G060EB05 ,  2G060EB06 ,  2G060EB09 ,  2G060HA01 ,  2G060HC15 ,  2G060KA13 ,  2G060KA16 ,  4F209AF01 ,  4F209AH33 ,  4F209AM32 ,  4F209AP12 ,  4F209AP15 ,  4F209AQ03 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PB13 ,  4F209PG05 ,  4F209PN20 ,  4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA39 ,  4M106DH16 ,  5F046AA18 ,  5F046AA28 ,  5F146AA18 ,  5F146AA28