特許
J-GLOBAL ID：201203040951752153

成膜装置、連続成膜装置、及び成膜方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196959
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084861
出願日： 2011年09月09日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第1の成膜室と、第1の熱処理を行う第1の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が1°以上30°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第1の膜を成膜した後に第1の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の搬送機構と、 前記搬送機構が送る前記基板の進行方向に沿って、 酸化物よりなる第1の膜を成膜する第1の成膜室と、 第1の熱処理を行う第1の加熱室と、を有し、 前記基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が1°以上30°以内に収まるよう保持され、 大気に曝すことなく、前記基板に前記第1の膜を成膜した後に前記第1の熱処理を施す、成膜装置。
IPC (9件)：
H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/56 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/50 ,  C03C 17/34 ,  C03C 17/245 ,  C03B 27/012
FI (11件)：
H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627B ,  C23C14/56 F ,  C23C14/58 A ,  C23C14/50 D ,  C03C17/34 Z ,  C03C17/245 A ,  C03C17/245 Z ,  C03B27/012
Fターム (90件)：
4G015CA00 ,  4G015CA08 ,  4G015CB01 ,  4G015CB02 ,  4G015CC01 ,  4G059AA01 ,  4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC14 ,  4G059EA01 ,  4G059EA02 ,  4G059EA03 ,  4G059EA05 ,  4G059EA07 ,  4G059EB02 ,  4G059EB03 ,  4G059EB04 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA12 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA45 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC34 ,  4K029GA01 ,  4K029JA01 ,  4K029JA05 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5F103AA08 ,  5F103BB35 ,  5F103BB36 ,  5F103BB49 ,  5F103DD30 ,  5F103GG02 ,  5F103HH10 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103RR03 ,  5F103RR04 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK33 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (1件)

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