特許
J-GLOBAL ID：201203041259368692
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大岩 増雄
, 児玉 俊英
, 竹中 岑生
, 村上 啓吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-224706
公開番号（公開出願番号）：特開2012-079962
出願日： 2010年10月04日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】半導体素子が繰り返し高温で動作してヒートサイクルを受ける場合も、接合材のクラックや配線の劣化による動作不良を起こし難い信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板上1に設けられた電極パターン2上面に接合材7,70を介して半導体素子5,6が固着された半導体素子基板4を金属のベース板10上に配置し、少なくとも絶縁基板および半導体素子を封止樹脂12により被覆した半導体装置において、半導体素子の電極パターンに接合された面とは逆の面の一部と接触するように、封止樹脂よりも線膨張率が大きい膨張押圧部材9を封止樹脂で被覆されるように設けた。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けられた電極パターン上面に接合材を介して半導体素子が固着された半導体素子基板を金属のベース板上に配置し、少なくとも上記絶縁基板および上記半導体素子を封止樹脂により被覆した半導体装置において、上記半導体素子の上記電極パターンに接合された面とは逆の面の一部と接触するように、上記封止樹脂よりも線膨張率が大きい膨張押圧部材を上記封止樹脂で被覆されるように設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4M109AA02
, 4M109BA03
, 4M109CA02
, 4M109CA04
, 4M109DB17
, 4M109EA02
, 4M109ED02
, 4M109EE02
