特許

J-GLOBAL ID：201203042109139497

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 井上 公 ,  島 久
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-208052
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064775
出願日： 2010年09月16日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】 複合酸化物の単結晶をチャンネルに用いたFETに電界効果のみで1013cm-2以上の高濃度のキャリアを注入することと、キャリアの移動度が室温でも10cm2/Vsに達するほどに理想的なチャンネルとの界面を得ることを共に可能にするゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/50 M

Fターム (26件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  5F140AA01 ,  5F140BA00 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-339454   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-022363   出願人：松下電器産業株式会社
• 配線基板、圧電性セラミック素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-130617   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-317413   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Low temperature metallic state induced by electrostatic carrier doping of SrTiO3