特許

J-GLOBAL ID：201203042696953932

被めっき層形成用組成物、金属膜を有する積層体の製造方法

発明者： 塚本 直樹
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-002544
公開番号（公開出願番号）：特開2012-144761
出願日： 2011年01月07日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】本発明は、無電解めっき時におけるめっき速度が向上すると共に、基板に対する密着性がより向上した金属膜を得ることができる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて実施される金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】式(1)で表される化合物と、重合性基を有するポリマーとを含む、被めっき層形成用組成物。(式(1)中、R10は、水素原子、金属カチオン、または第四級アンモニウムカチオンを表す。L10は、単結合、または、二価の有機基を表す。R11〜R13は、それぞれ独立して、水素原子、または置換若しくは無置換のアルキル基を表す。nは1または2を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(1)で表される化合物と、重合性基を有するポリマーとを含む、被めっき層形成用組成物。

IPC (4件)：

C23C 18/20 ,  C23C 18/30 ,  H05K 3/18 ,  B32B 15/08

FI (5件)：

C23C18/20 Z ,  C23C18/30 ,  C23C18/20 A ,  H05K3/18 A ,  B32B15/08 101Z

Fターム (64件)：

4F100AB01C ,  4F100AH04A ,  4F100AK01A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100EH71A ,  4F100EH71C ,  4F100GB43 ,  4F100JL02 ,  4K022AA02 ,  4K022AA12 ,  4K022AA13 ,  4K022AA14 ,  4K022AA15 ,  4K022AA16 ,  4K022AA17 ,  4K022AA18 ,  4K022AA19 ,  4K022AA20 ,  4K022AA21 ,  4K022AA22 ,  4K022AA23 ,  4K022AA24 ,  4K022AA26 ,  4K022AA42 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA17 ,  4K022BA18 ,  4K022BA21 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022CA25 ,  4K022CA26 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB03 ,  4K022DB06 ,  4K022DB29 ,  5E343AA02 ,  5E343AA16 ,  5E343AA17 ,  5E343BB24 ,  5E343CC01 ,  5E343CC22 ,  5E343CC71 ,  5E343CC72 ,  5E343DD33 ,  5E343EE22 ,  5E343EE23 ,  5E343ER32 ,  5E343GG02 ,  5E343GG11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 導電材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-162412   出願人：富士写真フイルム株式会社