特許
J-GLOBAL ID：201203042802470270
結晶シリコンインゴットの製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129950
公開番号（公開出願番号）：特開2012-001429
出願日： 2011年06月10日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】結晶シリコンインゴットの製造方法が提供される。【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、鋳型内部にバリア層を配置し、バリア層の上に1つ以上のシリコン種結晶を配置し、シリコン種結晶の上にシリコン原料を入れ、鋳型を加熱してシリコン融液を得て、鋳型を方向性凝固法で冷却することでシリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含む。鋳型は、シリコン原料が完全に溶融し且つシリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで加熱される。【選択図】図1D
請求項（抜粋）：
結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、
前記鋳型内部にバリア層を配置し、
前記鋳型内部の前記バリア層の上に1つ以上のシリコン種結晶を配置し、
前記シリコン種結晶の上に前記シリコン原料を入れ、
前記シリコン原料が完全に溶融し且つ前記シリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで前記鋳型を加熱することによってシリコン融液を得て、
前記鋳型を方向性凝固法で冷却することで前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含むことを特徴とする結晶シリコンインゴットの製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 11/02
, H01L 31/04
C30B29/06 501Z
, C30B11/02
, H01L31/04 X
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CD04
, 4G077ED01
, 4G077EG11
, 4G077EG25
, 4G077EJ10
, 4G077GA01
, 4G077GA02
, 4G077HA01
, 4G077MB08
, 5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB02
, 5F151CB04
