特許
J-GLOBAL ID:201203042882459891

光半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-145811
公開番号(公開出願番号):特開2012-009723
出願日: 2010年06月28日
公開日(公表日): 2012年01月12日
要約:
【課題】高輝度及び良好な集光性を実現することができる光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】基体11と、基体11上に離間して配置された複数の接合部材と、前記接合部材上に載置された複数の光半導体素子12とを備える光半導体装置10であって、少なくとも1つの接合部材において、光半導体素子12の一端側の高さh1と、該一端と対向する他方端側の高さh2とで異なり、かつ少なくとも2つの光半導体素子12から発光される光の光軸の方向が互いに異なる光半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基体と、 前記基体上に離間して配置された複数の接合部材と、 前記接合部材上に載置された複数の光半導体素子とを備える光半導体装置であって、 少なくとも1つの接合部材において、光半導体素子の一端側の高さh1と、該一端と対向する他方端側の高さh2とで異なり、かつ 少なくとも2つの光半導体素子から発光される光の光軸の方向が互いに異なることを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件):
H01L 33/48 ,  F21S 2/00 ,  F21V 19/00
FI (6件):
H01L33/00 400 ,  F21S2/00 250 ,  F21S2/00 210 ,  F21V19/00 170 ,  F21S2/00 311 ,  F21S2/00 350
Fターム (18件):
3K013BA01 ,  3K013CA01 ,  3K013CA16 ,  3K243MA01 ,  5F041AA05 ,  5F041AA06 ,  5F041AA47 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (8件)
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