特許

J-GLOBAL ID：201203043011151169

研磨助剤、研磨剤組成物、および半導体基板の研磨方法

発明者： 日高 真人 ,  景山 元裕
出願人/特許権者： ライオン株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-136244
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004229
出願日： 2010年06月15日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】半導体基板の材料に関係なく使用でき、研磨パッドの劣化を抑制しつつ研磨速度を向上できる研磨剤組成物用の研磨助剤、研磨剤組成物、および半導体基板の研磨方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板の研磨に用いられ、過酸化物を含む研磨剤組成物用の研磨助剤であって、遷移金属を含む水溶性塩(A)と、キレート剤(B)とを含有し、かつ、前記遷移金属を含む水溶性塩(A)に対する前記キレート剤(B)のモル比が0.5以上であることを特徴とする研磨助剤。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体基板の研磨に用いられ、過酸化物を含む研磨剤組成物用の研磨助剤であって、 遷移金属を含む水溶性塩(A)と、キレート剤(B)とを含有し、かつ、前記遷移金属を含む水溶性塩(A)に対する前記キレート剤(B)のモル比が0.5以上であることを特徴とする研磨助剤。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L21/304 622A ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H

Fターム (16件)：

3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA14 ,  5F057AA28 ,  5F057BA12 ,  5F057BB03 ,  5F057BB09 ,  5F057CA11 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA21 ,  5F057EA22 ,  5F057EA23