特許
J-GLOBAL ID：201203043163959960
半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、並びに分散体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 蛯谷 厚志
, 関根 宣夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-269017
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178546
出願日： 2011年12月08日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：
【課題】半導体デバイスの製造方法を提供する。また、この方法を用いて得ることができる半導体デバイス、及びこの方法で用いることができる分散体を提供する。【解決手段】半導体デバイス(500a)を製造する本発明の方法は、下記の工程(a)〜(c)を含み、かつ第1のドーパント注入層(52)の結晶方位が、半導体元素からなる半導体層又は基材(10)の結晶方位と同じである:(a)層又は基材の特定の箇所に、ドープされている粒子を含有する分散体を適用すること、(b)適用した分散体を乾燥して、未焼結ドーパント注入層とすること、及び(c)未焼結ドーパント注入層に光照射を行うことによって、層又は基材の特定の箇所を、p型又はn型ドーパントによってドープすると共に、未焼結ドーパント注入層を焼結させて、層又は基材と一体化したドーパント注入層とすること。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体元素からなる半導体層又は基材、及び前記半導体層又は基材上の第1のドーパント注入層を有する、半導体デバイスの製造方法であって、
下記の工程(a)〜(c)を含み、かつ
第1のドーパント注入層の結晶方位が、前記半導体層又は基材の結晶方位と同じ、かつ/又は前記ドーパントの濃度が、前記第1のドーパント注入層の表面から0.1μmの深さにおいて1×1020atoms/cm3以上であり、かつ前記第1のドーパント注入層の表面から0.3μmの深さにおいて、0.1μmの深さの1/10以下である、
半導体デバイスの製造方法:
(a)前記半導体層又は基材の第1の箇所に、第1の粒子を含有する第1の分散体を適用すること、ここで、前記第1の粒子は、前記半導体層又は基材と同一の元素から本質的になり、かつp型又はn型ドーパントによってドープされている、
(b)適用した前記第1の分散体を乾燥して、第1の未焼結ドーパント注入層とすること、及び
(c)前記第1の未焼結ドーパント注入層に光照射を行うことによって、前記半導体層又は基材の前記第1の箇所を、前記p型又はn型ドーパントによってドープすると共に、前記第1の未焼結ドーパント注入層を焼結させて、前記半導体層又は基材と一体化した第1のドーパント注入層とすること。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB13
, 5F151CB18
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151GA04
