特許

J-GLOBAL ID：201203043295032067

圧電素子の製造方法および液体噴射ヘッドの製造方法

発明者： 降旗 栄道 ,  小西 晃雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-211691
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069622
出願日： 2010年09月22日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】圧電体層の配向を容易に制御できる圧電素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電素子の製造方法は、基板1の上方に第1電極10を形成する工程と、第1電極10の上方に前駆体溶液を塗布する工程と、前駆体溶液を乾燥および脱脂して、前駆体層を形成する工程と、前駆体層にマイクロ波を照射して前記前駆体層を結晶化し、圧電体層20を形成する工程と、圧電体層20の上方に第2電極30を形成する工程と、を含み、圧電体層20は、鉛、ジルコニウム、チタンおよびニオブを含む酸化物である。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板の上方に第1電極を形成する工程と、 前記第1電極の上方に前駆体溶液を塗布する工程と、 前記前駆体溶液を乾燥および脱脂して、前駆体層を形成する工程と、 前記前駆体層にマイクロ波を照射して前記前駆体層を結晶化し、圧電体層を形成する工程と、 前記圧電体層の上方に第2電極を形成する工程と、 を含み、 前記圧電体層は、鉛、ジルコニウム、チタンおよびニオブを含む酸化物である、圧電素子の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 41/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  B41J 2/16

FI (9件)：

H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/08 J ,  H01L41/08 L ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  B41J3/04 103H

Fターム (9件)：

2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP54 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02