特許

J-GLOBAL ID：201203044967538165

記憶素子、記憶装置

発明者： 大森 広之 ,  細見 政功 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  内田 裕行 ,  浅山 徹哉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 脇 篤夫 ,  鈴木 伸夫 ,  中川 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-104877
公開番号（公開出願番号）：特開2012-238631
出願日： 2011年05月10日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：

【課題】スピントルク型磁気メモリにおいて、異方性エネルギーを大きくし、微細化しても十分な熱揺らぎ耐性を有するようにする。【解決手段】記憶素子は、膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とにより、MTJ構造を持つ。これに加え、記憶層に隣接する、Cr、Ru、W、Si、Mnの少なくとも一つからなる保磁力強化層と、保磁力強化層に隣接する酸化物によるスピンバリア層を設ける。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

膜面に対して垂直な磁化を有し、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 上記記憶層に記憶された情報の基準となる、膜面に対して垂直な磁化を有する磁化固定層と、 上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層と、 上記記憶層に隣接し、上記中間層と反対側に設けられる、Cr、Ru、W、Si、Mnの少なくとも一つからなる保磁力強化層と、 上記保磁力強化層に隣接し、上記記憶層と反対側に設けられる酸化物によるスピンバリア層と、 を有し、 上記記憶層、上記中間層、上記磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (45件)：

4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119AA15 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119GG01 ,  4M119GG08 ,  5F092AA12 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC42 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25