特許

J-GLOBAL ID：201203046638673593

脆弱化された基板およびそのような基板の製造方法

発明者： ベルナール・アスパール ,  クリステル・ラガエ ,  オリヴィエ・レイサック ,  ブリュノ・ジスラン
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-162495
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231172
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

【課題】脆弱化ゾーンによって初期基板から分離される薄層を有した基板を提供すること。【解決手段】本発明は、マイクロキャビティゾーン(4’)の存在によって脆弱化された基板(1)に関するものであって、マイクロキャビティゾーン(4’)が、基板(1)の一面(2)を有している薄層(5)を規定している場合に、マイクロキャビティ(4’)から、ガス種の全部または一部が排出されている。本発明は、また、そのような脆弱化された基板の製造方法に関するものである。さらに、本発明は、薄層を得るための方法に関するものである。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

除去可能基板(1,11)を製造するための方法であって、 基板のゾーン(4,14)内へと少なくとも1つのガス種(3,13)を導入し、これにより、前記ゾーンのところに複数のマイクロキャビティを形成することによって、脆弱化された前記ゾーンにより、前記基板の一面(2,12)を有しているとともに後工程において分離されることとなる薄層(5,15)を規定するステップを具備している場合において、 前記脆弱化ゾーン(4,14)内の前記ガス種の全部または一部を排出するステップを具備することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体材料薄層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126005   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク