特許
J-GLOBAL ID：201203046807456246

成膜方法及び成膜装置

発明者：
村上 博紀

村上 博紀 について

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長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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山本 和弥

山本 和弥 について

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高橋 敏彦

高橋 敏彦 について

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鈴木 大介

鈴木 大介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-110029
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028741
出願日： 2011年05月17日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：
【課題】被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器14内で被処理体Wの表面にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、処理容器内へシラン系ガスよりなるシードガスを供給して被処理体の表面に前記シードガスを吸着させる吸着工程と、処理容器内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して不純物の添加されたシリコン膜を形成する膜形成工程と、シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜に変換する酸化工程とを有するようにする。これにより、被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
処理容器内で被処理体の表面にシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へシラン系ガスよりなるシードガスを供給して前記被処理体の表面に前記シードガスを吸着させる吸着工程と、 前記処理容器内へ原料ガスであるシリコン含有ガスと不純物を含む添加ガスとを供給して前記不純物の添加されたシリコン膜を形成する膜形成工程と、 前記シリコン膜を酸化してシリコン酸化膜に変換する酸化工程とを有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 ,  C23C16/42
Fターム (35件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA24 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF11 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F058BA04 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ06
引用特許：
審査官引用 (9件)
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