特許
J-GLOBAL ID：201203047203579125
金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物、及び、金属酸化物半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-139488
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004030
出願日： 2010年06月18日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】金属酸化物半導体粒子の長期分散安定性を改善することができ、耐熱性に乏しいフレキシブル基板等にも好適に使用可能な金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物を提供する。更に、該金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物の製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】金属酸化物半導体粒子と、金属微小粒子とを含有する金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物であって、前記金属酸化物半導体粒子は、平均粒子径が1〜100nmであり、前記金属微小粒子は、前記金属酸化物半導体粒子を構成する金属のうち少なくとも1種を含有し、かつ、前記金属微小粒子の平均粒子径は、前記金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の40%以下である金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
金属酸化物半導体粒子と、金属微小粒子とを含有する金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物であって、
前記金属酸化物半導体粒子は、平均粒子径が1〜100nmであり、
前記金属微小粒子は、前記金属酸化物半導体粒子を構成する金属のうち少なくとも1種を含有し、かつ、前記金属微小粒子の平均粒子径は、前記金属酸化物半導体粒子の平均粒子径の40%以下であることを特徴とする金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物。
IPC (5件)：
H01B 1/20
, H01B 1/22
, H01B 13/00
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01B1/20 A
, H01B1/22 A
, H01B13/00 503Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
5F110AA14
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110DD01
, 5F110GG01
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5G301DD01
, 5G301DD02
, 5G323AA03
