特許

J-GLOBAL ID：201203047228178192

遷移金属シリサイド-Si複合粉末及びその製造方法、並びに、遷移金属シリサイド-Si複合粉末製造用CaSiy系粉末及びその製造方法

発明者： 板原 浩 ,  大砂 哲 ,  朝岡 賢彦 ,  齋藤 康善 ,  小林 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (2件)： 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-094237
公開番号（公開出願番号）：特開2012-072046
出願日： 2011年04月20日
公開日（公表日）： 2012年04月12日
要約：

【課題】新規な遷移金属シリサイド-Si複合材料及びその製造方法、並びに、このような遷移金属シリサイド-Si複合粉末を製造することが可能な遷移金属シリサイド-Si複合粉末製造用CaSiy系粉末及びその製造方法を提供すること。【解決手段】1種又は2種以上の遷移金属元素(M)を含み、Si/M比(z)が2.0≦z≦20.0であり、比表面積が2.5m2/g以上である遷移金属シリサイド-Si複合粉末及びその製造方法。Si/Ca比(w)が2.0≦w≦20.0であり、少なくともCaシリサイド相を含む遷移金属シリサイド-Si複合粉末製造用CaSiy系粉末及びその製造方法。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

一種又は2種以上の遷移金属元素(M)を含み、 Si/M比(z)が2.0≦z≦20.0であり、 比表面積が2.5m2/g以上である遷移金属シリサイド-Si複合粉末。

IPC (3件)：

C01B 33/06 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/36

FI (3件)：

C01B33/06 ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/36 A

Fターム (32件)：

4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072AA50 ,  4G072BB05 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH02 ,  4G072JJ28 ,  4G072MM02 ,  4G072MM03 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072MM38 ,  4G072UU30 ,  5H050AA02 ,  5H050AA08 ,  5H050AA12 ,  5H050BA17 ,  5H050CB11 ,  5H050FA17 ,  5H050GA01 ,  5H050GA02 ,  5H050GA10 ,  5H050GA11 ,  5H050GA12 ,  5H050HA02 ,  5H050HA07 ,  5H050HA14 ,  5H050HA19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• MnSi1.7系熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-170058   出願人：福田金属箔粉工業株式会社
• 金属ケイ素化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-177452   出願人：国立大学法人東北大学
• リチウム二次電池用電極材料及びリチウム二次電池及びリチウム二次電池用電極材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-350625   出願人：三星エスディアイ株式会社