特許
J-GLOBAL ID：201203047235112458
ナノメートル(nm)級の厚さの導電層と誘電体層を交互に積層したセーベック/ペルティ効果を利用した熱-電気変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-099944
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235113
出願日： 2012年04月25日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
要約：
【課題】セーベック/ペルティ効果を利用した積層体を提供する。【解決手段】 電気回路にそれぞれ接続される高温側金属領域と低温側金属領域とを対向して有するセーベック-ペルティ効果を有する導電性の膜からなる本発明の積層構造は、導電層と誘電体層を連続的に交互に積層して構成される。前記誘電体層は、nm級以下の酸化物の粒子或いは粒子のクラスタを高密度に分散させた形態或いは連続する膜の形態で形成され、前記導電層は、その平均厚さが5-100nmの範囲にあり、前記誘電体層と前記導電層とのインターフェースの表面の不規則性は、山と谷の間の平均振幅とその平均周期は、5-20nmの間にある。セーベック効果は、平均の山と谷の振幅と平均の周期性が5-20nmの表面の不規則性の時に顕著に表れる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気回路にそれぞれ接続される高温側金属領域と低温側金属領域とを対向して有するセーベック-ペルティ効果を有する導電性の膜からなる積層構造において、
前記積層構造は、導電層と誘電体層を連続的に交互に積層して構成され、
前記誘電体層は、nm級又はnm級以下の酸化物の粒子或いは粒子のクラスタを高密度に分散させた形態或いは連続する膜の形態で形成され、
前記導電層は、その平均厚さが5-100nmの範囲にあり、
前記誘電体層と前記導電層とのインターフェースの表面の不規則性は、山と谷の間の平均振幅とその平均周期は、5-20nmの間にある
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した積層体。
IPC (3件)：
H01L 35/26
, H01L 35/14
, H01L 35/34
H01L35/26
, H01L35/14
, H01L35/34
