磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210181
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064904
出願日： 2010年09月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】単一方向電流を用いて誤書き込みのない安定な書き込みを行う。【解決手段】磁化が略垂直でかつ可変の第1強磁性層12と、磁化が略垂直でかつ不変の第2強磁性層16と、第1強磁性層と第2強磁性層との間の第1非磁性層14と、第2強磁性層に対して第1非磁性層と反対側に設けられ、膜面に略平行な磁化を有し、スピン偏極された電子の注入によりマイクロ波磁界を発生する第3強磁性層20と、第2強磁性層と第3強磁性層との間の第2非磁性層18と、を備え、第3強磁性層から第1強磁性層に向かう方向および第1強磁性層から第3強磁性層に向かう方向のうちの一方の方向に第1電流を流すことにより第3強磁性層から発生する第マイクロ波磁界によって第1強磁性層の磁化を反転し、一方の方向に第1電流と異なる電流密度を有する第2電流を流し第2強磁性層によってスピン偏極された電子によって第1強磁性層の磁化を異なる方向に反転する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第1強磁性層と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ不変の第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられる第1非磁性層と、前記第2強磁性層に対して前記第1非磁性層と反対側に設けられ、膜面に略平行な磁化を有し、スピン偏極された電子が注入されることによりマイクロ波磁界を発生する第3強磁性層と、前記第2強磁性層と前記第3強磁性層との間に設けられる第2非磁性層と、を備え、前記第3強磁性層から前記第2強磁性層を介して前記第1強磁性層に向かう方向および前記第1強磁性層から前記第2強磁性層を介して前記第3強磁性層に向かう方向のうちの一方の方向に第1電流を流すことにより前記第3強磁性層から発生する前記第マイクロ波磁界によって前記第1強磁性層の磁化が反転可能であり、前記一方の方向に前記第1電流と異なる電流密度を有する第2電流を流し前記第2強磁性層によってスピン偏極された電子によって前記第1強磁性層の磁化が、前記第1電流を流した場合と異なる方向に反転可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08 , G11C 11/15 , H01L 29/82

FI (5件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11C11/15 140 , H01L29/82 Z , H01L43/08 U

Fターム (44件)：

4M119AA03 , 4M119AA07 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD37 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119DD52 , 4M119EE22 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AB10 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BC46 , 5F092BC47 , 5F092BE12 , 5F092BE14 , 5F092GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-078420 出願人：株式会社東芝
磁気記録素子及び磁気記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-182286 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る