特許

J-GLOBAL ID：201203047827492601

スピン偏極率制御方法

発明者： 谷山 智康
出願人/特許権者： 谷山 智康
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-254150
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104758
出願日： 2010年11月12日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】従来物質固有の特性として取り扱われてきたスピン偏極率を制御する手法とその素子構造を提案し、従来にない新しい機能性デバイスの基本要素技術を提供する。【解決手段】強誘電体(A)層上に、該強誘電体(A)と格子不整合率が8%以下である強磁性体(B)層をヘテロ接合してなり、該強誘電体(A)に電圧を印加させて、強誘電体(A)と強磁性体(B)の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体(B)のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体(A)層上に、該強誘電体(A)と格子不整合率が8%以下である強磁性体(B)層をヘテロ接合してなり、該強誘電体(A)に電圧を印加させて、強誘電体(A)と強磁性体(B)の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体(B)のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。

IPC (4件)：

H01L 29/82 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/66

FI (3件)：

H01L29/82 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L29/66 Z

Fターム (21件)：

5F092AA20 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC25 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB25 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB45 ,  5F092BD03 ,  5F092BD06 ,  5F092BD13 ,  5F092BD14 ,  5F092BE12 ,  5F092BE15 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA07