特許

J-GLOBAL ID：201203048003203933

高温超電導酸化物薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法

発明者： バガリナオ カテリン デベロス
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-051518
公開番号（公開出願番号）：特開2012-199235
出願日： 2012年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月18日
要約：

【課題】 (RE)BCO薄膜において、制御された結晶欠陥を導入する簡便な方法を提供する。【解決手段】 基板上に成膜された一般式(RE)Ba2Cu3O7(式中、REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子を表す。)で表される希土類酸化物を主成分とする高温超電導酸化物薄膜の上に、多孔質アルミナ自立膜を載置し、該アルミナ膜をマスクとしてアルゴンイオンミリングを行うことにより、前記高温超電導薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された一般式(RE)Ba2Cu3O7(式中、REは、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Ybから選ばれる1種の原子を表す。)で表される希土類酸化物を主成分とする高温超電導酸化物薄膜の上に、多孔質アルミナ膜を載置し、該アルミナ膜をマスクとしてアルゴンイオンミリングを行うことにより、前記高温超電導薄膜にナノスケールの結晶欠陥を導入する方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 ,  C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/06

FI (4件)：

H01B13/00 565D ,  C01G3/00 ,  C01G1/00 S ,  H01B12/06

Fターム (20件)：

4G047JA03 ,  4G047JC02 ,  4G047KG09 ,  4G047LA05 ,  4G047LA07 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA13 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA38 ,  5G321DB22 ,  5G321DB35 ,  5G321DB37 ,  5G321DB39 ,  5G321DB47