特許
J-GLOBAL ID:201203048634129522

発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  坪倉 道明 ,  重森 一輝 ,  大谷 寛 ,  城山 康文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-290441
公開番号(公開出願番号):特開2012-064989
出願日: 2011年12月29日
公開日(公表日): 2012年03月29日
要約:
【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。【解決手段】本発明に係る発光素子は、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層、及び上記第1導電型半導体層と上記第2導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
発光構造物と、 前記発光構造物の上の蛍光体層と、 前記蛍光体層の上に形成された光抽出パターンと、 前記発光構造物の下の第2電極層と を備え、 前記光抽出パターンは、前記蛍光体層を部分的に曝露させている、発光素子。
IPC (1件):
H01L 33/20
FI (1件):
H01L33/00 170
Fターム (9件):
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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