特許
J-GLOBAL ID：201203048709307987
熱CVD装置および蒸着膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-014640
公開番号（公開出願番号）：特開2012-153951
出願日： 2011年01月27日
公開日（公表日）： 2012年08月16日
要約：
【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱CVD装置および蒸着膜の形成方法を提供する。【解決手段】ガス加熱装置9で加熱された原料ガスGを加熱室13内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室13内の基板Kに蒸着させる熱CVD装置であって、上記ガス加熱装置9が、上記加熱室13内に導入する原料ガスGに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル33と、上記交番磁界が与えられた原料ガスGに電磁波を照射する電磁波発生用コイル31とを備えるとともに、電磁波発生用コイル31の軸心に、原料ガスGを加熱室13内に導入するガス導入管5を設け、このガス導入管5を通過する原料ガスGに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスGを加熱する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ガス加熱手段で加熱された原料ガスを加熱室内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室内の基板に蒸着させる熱CVD装置であって、
上記ガス加熱手段が、上記加熱室内に導入する原料ガスに交番磁界を与える交番磁界発生用コイルと、上記交番磁界が与えられた原料ガスに電磁波を照射する電磁波発生用コイルとを備え、上記原料ガスに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスを加熱することを特徴とする熱CVD装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/452
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB06
, 4G146BA12
, 4G146BC09
, 4G146BC22
, 4G146DA31
, 4G146DA43
, 4K030AA09
, 4K030AA18
, 4K030BA27
, 4K030CA02
, 4K030FA10
, 4K030FA14
, 4K030GA14
, 4K030KA23
, 4K030KA25
, 4K030KA34
