特許
J-GLOBAL ID：201203049014808280
Si-SiC系複合材料の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-047927
公開番号（公開出願番号）：特開2012-211071
出願日： 2012年03月05日
公開日（公表日）： 2012年11月01日
要約：
【課題】コストがかからず、高温での強度も十分高いSi-SiC系複合材料を提供する。【解決手段】Si-SiC系複合材料を以下の手順で製造する。まず、SiC成形体と金属Siとを、金属Siが加熱溶融したあとSiC成形体と接触するように配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がSiより大きい元素からなる易酸化性金属(例えば金属Al)を含む混合物を共存させた状態で、常圧下、Arガス雰囲気中、1400〜1800°Cで加熱処理することにより、溶融した金属Siを前記SiC成形体に含浸させる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
加熱後に溶融したSiがSiC成形体に接触するように金属SiとSiC成形体とを配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がSiより大きい元素からなる易酸化性金属又はそれを含む混合物を共存させた状態で、常圧下、不活性ガス雰囲気中、1400〜1800°Cで加熱処理することにより、溶融した金属SiをSiC成形体に含浸させる、Si-SiC系複合材料の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4G001BA05
, 4G001BA22
, 4G001BA61
, 4G001BA62
, 4G001BA63
, 4G001BB05
, 4G001BB22
, 4G001BB61
, 4G001BB62
, 4G001BB63
, 4G001BC62
, 4G001BC71
, 4G001BD03
, 4G001BD13
, 4G001BE33
