磁気抵抗素子および磁気抵抗素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：永井冬紀 , 渡辺隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-067089
公開番号（公開出願番号）：特開2012-151494
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2012年08月09日
要約：

【課題】従来のTMR素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたCo,Fe,Bを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として(001)結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有し、前記強磁性体層が結晶化していることに特徴がある。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたCo、FeおよびBを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として(001)結晶面が優先配向した多結晶酸化マグネシウム層と、を有する磁気抵抗素子であって、前記強磁性体層が結晶化していることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01L 43/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01F 10/14 , H01F 10/16

FI (7件)：

H01L43/08 Z , H01L29/82 Z , H01L43/10 , H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01F10/14 , H01F10/16

Fターム (27件)：

4M119AA15 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC02 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 5E049AA01 , 5E049AC01 , 5E049BA11 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14 , 5E049GC01 , 5E049HC01 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BE02 , 5F092BE03 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気抵抗効果素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-259280 出願人：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

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