特許
J-GLOBAL ID：201203049341940605
荷電粒子ビーム描画方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-155528
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019066
出願日： 2010年07月08日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、より高精度に近接効果補正が実施できる電子ビーム描画方法及び装置を提供することを目的としている。【解決手段】近接効果補正を実施する荷電粒子ビーム描画装置において、描画領域を分割した領域に含まれる描画パターンをショート単位に分割し、該ショット単位の描画パターンについて、ショット単位の描画パターン(ビーム図形)のサイズに応じて予め決められているリサイズ値でリサイズ処理し、該リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づき近接効果補正量を算出する近接効果補正量算出工程と、該近接効果補正量に基づいて荷電粒子ビームのショット時間を制御すると共に、前記リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づいて荷電粒子ビームのサイズ及び位置を制御して、所望のパターンを描画する描画工程とを備えて構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを用いて被描画材料に所定のパターンを描画すると共に、描画領域を分割し、分割された領域に含まれる描画パターンの占める割合から当該領域内における近接効果補正量を算出し、該補正量を考慮した荷電粒子ビームをショットし、所望のパターンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法において、
前記分割された領域に含まれる描画パターンをショット単位に分割し、
該ショット単位の描画パターンについて
ショット単位の描画パターンのサイズに応じて予め決められているリサイズ値でリサイズ処理し、
該リサイズ処理したショット単位毎の描画パターンに基づき近接効果補正量を算出する近接効果補正量算出工程と、
前記近接効果補正量算出工程からの補正量に基づいて荷電粒子ビームのショット時間を制御すると共に、
前記リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づいて荷電粒子ビームのサイズ及び位置を制御して、所望のパターンを描画する描画工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 541E
, H01L21/30 541M
5F056AA04
, 5F056BA01
, 5F056CA02
, 5F056CA13
, 5F056CB03
, 5F056CC13
, 5F056CC14
, 5F056CD06
, 5F056CD13
, 5F056DA08
