特許

J-GLOBAL ID：201203050235264046

シリコン太陽電池の個別化方法

発明者： マイヤーホーファー、ローラント
出願人/特許権者： ロフィンーバーゼル ラゼルテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニ コマンディートゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-511246
公開番号（公開出願番号）：特表2012-527753
出願日： 2010年05月17日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

【課題】短絡を発生させることなくシリコン太陽電池を個別化する方法を提供する。【解決手段】多数のシリコン太陽電池(4)の個別化方法において、第1の作業ステップでは、多数のシリコン太陽電池(4)を含むシリコンウェハに第1のレーザビーム(L1)により、分離線(5)に沿って、シリコンウェハ(2)内のpn接合(16)に隣接するシリコンウェハ(2)の前面(14)に、少なくともpn接合(16)に迄達する深さ(t)を有しかつシリコンウェハ(2)の側縁(24)に迄延びる溝(22)を形成し、第2の作業ステップでは、溝(22)に向けられる第2のレーザビーム(L2)により、シリコンウェハ(2)を側縁(24)から始めて分離線(5)に沿って切断し、切断中に生じる融解物(M)を、少なくともほぼ第2のレーザビーム(L2)の方向に流れる切断ガス(G)により、切断の際に生じる切断切り口(28)から追い払う。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

多数のシリコン太陽電池(4)を含むシリコンウェハ(2)に、第1のレーザビーム(L1)により、分離線(5)に沿って、シリコンウェハ(2)内のpn接合(16)に隣接するシリコンウェハ(2)の前面(14)に、少なくともpn接合(16)に迄達する深さ(t)を有し、かつシリコンウェハ(2)の側縁(24)に迄延びる溝(22)を形成する第1の作業ステップと、 溝(22)に向けられる第2のレーザビーム(L2)によりシリコンウェハ(2)を側縁(24)から始めて分離線(5)に沿って切断し、切断中に生じる融解物(M)を、少なくともほぼ第2のレーザビーム(L2)の方向に流れる切断ガス(G)により、切断の際に生じる切断切り口(28)から追い払う第2の作業ステップとを含む 多数のシリコン太陽電池(4)の個別化方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (6件)：

5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB29 ,  5F151CB30 ,  5F151EA07 ,  5F151EA16