特許
J-GLOBAL ID：201203050764615040
発光ダイオード、発光装置、照明装置及びディスプレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 美次郎
, 江頭 達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-137235
公開番号（公開出願番号）：特開2012-004297
出願日： 2010年06月16日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】大発光量、高発光効率、均一面発光を実現し得るコストの安価な発光ダイオード、それを用いた発光装置、照明装置及びディスプレイを提供する。【解決手段】n型半導体層21及びp型半導体層23は、支持層1の一面上で積層されている。p側電極4は、支持層1側に位置するn型半導体層21を、支持層1の側から貫通し、先端がp型半導体層23に達している。n側電極は、n型半導体層21の、支持層1の側に位置する面に形成された薄膜電極3である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、p型半導体層と、支持層と、電極とを含む発光ダイオードであって、
前記n型半導体層及びp型半導体層は、前記支持層の一面上で積層されており、
前記電極は、n側電極及びp側電極を含んでおり、
前記n側電極及び前記p側電極の一方は、前記p型半導体層及び前記n型半導体層のうち、前記支持層側に位置する一方の半導体層を、前記支持層側から貫通し、先端が他方の半導体層に達しており、
前記n側電極及び前記p側電極の他方は、前記支持層側に位置する前記一方の半導体層の、前記支持層側の面に形成された薄膜電極である、
発光ダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 210
, H01L33/00 186
5F041AA04
, 5F041AA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041DA43
, 5F041FF11
