メモリシステム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-067590
公開番号（公開出願番号）：特開2012-203957
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：

【課題】読み出し動作開始から読み出し動作完了までの処理時間を可及的に低減する。【解決手段】制御部は、不揮発性メモリに格納されているデータを読み出す際、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧の値を用いて不揮発性メモリからデータを読み出して、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出したとき、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなるまで読み出し電圧を変更して前記不揮発性メモリからデータの再読み出しを行い、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなったとき、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧を更新する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

ワードライン毎に配列されたメモリセルと前記ワードラインに印加する読み出し電圧を変更可能な電圧生成部とを備える不揮発性メモリと、ホスト装置と前記不揮発性メモリとの間のデータ転送を制御する制御部と、前記不揮発性メモリから読み出されたデータの誤り訂正を行う誤り訂正部と、前記読み出し電圧の値を記録した読み出し電圧管理情報を記憶する管理情報記憶メモリと、を備え、前記制御部は、前記不揮発性メモリに格納されているデータを読み出す際、前記読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧の値を用いて前記不揮発性メモリからデータを読み出して、前記誤り訂正部による誤り訂正に失敗したとき、前記誤り訂正部が誤り訂正に成功するまで、読み出し電圧を変更して前記不揮発性メモリからデータの再読み出しを行い、前記訂正部が誤り訂正に成功したとき、前記読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧を前記変更された読み出し電圧で更新する、ことを特徴とするメモリシステム。

IPC (4件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , G06F 12/16

FI (7件)：

G11C17/00 613 , G11C17/00 601E , G11C17/00 622E , G11C17/00 633B , G11C17/00 639C , G11C17/00 641 , G06F12/16 320F

Fターム (21件)：

5B018GA02 , 5B018HA14 , 5B018HA22 , 5B018KA12 , 5B018NA06 , 5B018QA14 , 5B125BA02 , 5B125BA19 , 5B125CA21 , 5B125CA28 , 5B125DA03 , 5B125DA09 , 5B125DE08 , 5B125EA05 , 5B125EA10 , 5B125EG16 , 5B125EK01 , 5B125EK02 , 5B125FA01 , 5B125FA04 , 5B125FA10

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