特許

J-GLOBAL ID：201203051198392035

疎水性シリカ粒子の製造方法

発明者： 野崎 駿介 ,  奥野 広良 ,  増田 悠二 ,  吉川 英昭 ,  川島 信一郎 ,  竹内 栄 ,  銭谷 優香
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-032529
公開番号（公開出願番号）：特開2012-031044
出願日： 2011年02月17日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】水分率の環境変動が抑制された疎水性シリカ粒子が得られる疎水性シリカ粒子の製造方法を提供すること。【解決手段】親水性シリカ粒子を準備する工程と、超臨界二酸化炭素中で、疎水化処理剤により前記親水性シリカ粒子の表面を疎水化処理する工程と、を有する疎水性シリカ粒子の製造方法である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

親水性シリカ粒子を準備する工程と、 超臨界二酸化炭素中で、疎水化処理剤により前記親水性シリカ粒子の表面を疎水化処理する工程と、 を有する疎水性シリカ粒子の製造方法。

IPC (1件)：

C01B 33/18

FI (1件)：

C01B33/18 Z

Fターム (15件)：

4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072EE01 ,  4G072EE03 ,  4G072EE06 ,  4G072HH20 ,  4G072HH30 ,  4G072HH33 ,  4G072JJ12 ,  4G072LL04 ,  4G072QQ01 ,  4G072RR12 ,  4G072RR30 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 疎水性エアロゲルの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-348779   出願人：松下電工株式会社
• エアロゲル充填体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-293176   出願人：松下電工株式会社
• トナー添加剤の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300739   出願人：ゼロックスコーポレイション