特許
J-GLOBAL ID：201203052070849381
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-130522
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258674
出願日： 2010年06月07日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：
【課題】半導体層に加わる応力を緩和し、発光効率の向上が可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと第2導電部30bと第1絶縁層21と封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第1主面10bと第2主面10aとを有する半導体積層体10と、第2主面に設けられた第1、第2電極と、を含む。第1、第2導電部は、それぞれ第1、第2電極に接続され、第2主面に立設された第1、第2柱部を含む。第1絶縁層は第1、第2柱部の少なくとも一部と半導体積層体との間に設けられる。封止部は第1、第2導電部の側面を覆う。光学層は、半導体積層体の第1主面に設けられ発光部10dから放出された発光光の波長を変換する波長変換部を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の前記第2主面に設けられた第1電極及び第2電極と、を含む発光部と、
前記第1電極に電気的に接続され、前記第2主面の上に立設された第1柱部を含む第1導電部と、
前記第2電極に電気的に接続され、前記第2主面の上に立設された第2柱部を含む第2導電部と、
前記第1柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、及び、前記第2柱部の少なくとも一部と前記半導体積層体との間、の少なくともいずれかに設けられた第1絶縁層と、
前記第1導電部の側面及び前記第2導電部の側面を覆う封止部と、
前記半導体積層体の前記第1主面に設けられた光学層であって、前記発光層から放出された発光光を吸収し、前記発光光の波長とは異なる波長の光を放出する波長変換部を含む前記光学層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 300
, H01L33/00 210
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA98
, 5F041CB36
, 5F041DA09
, 5F041DA44
, 5F041DA92
, 5F041EE17
