特許
J-GLOBAL ID:201203052479338877
プロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
鎌田 耕一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-209098
公開番号(公開出願番号):特開2012-062426
出願日: 2010年09月17日
公開日(公表日): 2012年03月29日
要約:
【課題】グラフト重合による優れたプロトン伝導性高分子電解質膜を工業的に製造するための方法を提供する。【解決手段】樹脂微粒子に放射線を照射する工程と、ビニル系化合物と溶媒とを含む液相中において前記放射線が照射された樹脂微粒子が固相を維持する固液二相系において、樹脂微粒子にビニル系化合物をグラフト重合させて微粒子状のグラフト重合体を得る工程と、グラフト重合体をスルホン化することによりスルホン化重合体を得る工程と、スルホン化重合体におけるスルホン酸基をスルホン酸基前駆体に変換することにより安定化重合体を得る工程と、安定化重合体を溶融成形することによりフィルムを成形する工程と、フィルムにおけるスルホン酸基前駆体をスルホン酸基に変換する工程と、を含むプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
樹脂微粒子に放射線を照射する工程と、
ビニル系化合物と溶媒とを含む液相中において前記放射線が照射された樹脂微粒子が固相を維持する固液二相系において、前記樹脂微粒子に前記ビニル系化合物をグラフト重合させて微粒子状のグラフト重合体を得る工程と、
前記グラフト重合体をスルホン化することによりスルホン化重合体を得る工程と、
前記スルホン化重合体におけるスルホン酸基をスルホン酸基前駆体に変換することにより安定化重合体を得る工程と、
前記安定化重合体を溶融成形することによりフィルムを成形する工程と、
前記フィルムにおけるスルホン酸基前駆体をスルホン酸基に変換する工程と、を含むプロトン伝導性高分子電解質膜の製造方法。
IPC (5件):
C08J 5/22
, H01M 8/02
, H01B 13/00
, C08F 259/08
, C08F 8/36
FI (6件):
C08J5/22 103
, C08J5/22
, H01M8/02 P
, H01B13/00 Z
, C08F259/08
, C08F8/36
Fターム (36件):
4F071AA22C
, 4F071AA22X
, 4F071AA26C
, 4F071AA26X
, 4F071AA77C
, 4F071AA77X
, 4F071AF37C
, 4F071AG14
, 4F071AH15
, 4F071FA05
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 4F071FD04
, 4J026AA26
, 4J026BA05
, 4J026BB01
, 4J026CA09
, 4J026DB02
, 4J026DB09
, 4J026DB36
, 4J026EA08
, 4J026FA02
, 4J026GA06
, 4J026GA08
, 4J100BA56H
, 4J100CA31
, 4J100HA61
, 4J100HC71
, 4J100HG07
, 4J100JA45
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026CX04
, 5H026EE17
, 5H026EE18
, 5H026EE19
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