特許

J-GLOBAL ID：201203052612652482

ゲート電極が駆動する電界効果型トランジスタおよびそれを有するセンサデバイス

発明者： 古藤 誠 ,  尾島 徹則
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-110589
公開番号（公開出願番号）：特開2012-242172
出願日： 2011年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】 ゲート電極が可動な電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 半導体層と、前記半導体層内に少なくとも2つの活性領域と、前記活性領域に接するソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の半導体層の上に絶縁層とゲート電極とを有する電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタは前記ゲート電極および前記絶縁層の間に配置される、分子を吸着するための吸着部位を有し、前記ゲート電極を駆動するための駆動手段を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層内に少なくとも2つの活性領域と、前記活性領域に接するソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の半導体層の上に絶縁層とゲート電極とを有する電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタは前記ゲート電極および前記絶縁層の間に配置される、分子を吸着するための吸着部位を有し、 前記ゲート電極を駆動するための駆動手段を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

G01N 27/414 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

G01N27/30 301 ,  H01L29/78 301U

Fターム (21件)：

5F140AA00 ,  5F140AB02 ,  5F140AC37 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA10 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BC15 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BF41 ,  5F140BF58 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13 ,  5F140CA03