半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-080794
公開番号（公開出願番号）：特開2012-216675
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2012年11月08日
要約：

【課題】半導体装置の耐圧特性を向上することを課題とする。【解決手段】半導体装置100は、半導体基板102を備えている。半導体基板は、n型のドリフト領域112の表面に、p型のボディ領域141が積層されている。トレンチ113は、半導体基板102の表面からボディ領域141を貫通してドリフト領域112に達している。トレンチ113の底部は、酸化膜171で被覆されている。トレンチ113の側壁は、酸化膜171およびゲート酸化膜172で被覆されている。酸化膜171の上面171aは、ドリフト領域112とボディ領域141との境界面B1よりも下方側に位置している。ゲート酸化膜172の膜厚は、境界面B1よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚t1とされている。酸化膜171の膜厚は、上面171aから境界面B1までの領域A1において、第1膜厚t1よりも厚くされている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのトレンチが形成されている半導体基板を備えており、半導体基板は、第2導電型のドリフト領域の表面に第1導電型のボディ領域が積層されており、トレンチは、半導体基板の表面からボディ領域を貫通してドリフト領域に達しており、トレンチの底部は第1の絶縁層で被覆されており、トレンチの側壁は第2の絶縁層で被覆されており、第1の絶縁層の上面は、ドリフト領域とボディ領域との境界面よりも下方側に位置しており、第2の絶縁層の膜厚は、前記境界面よりも上方側の少なくとも一部の領域において第1膜厚とされているとともに、第1の絶縁層の上面から前記境界面までの領域において第1膜厚よりも厚くされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 653A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 652N

引用特許：

審査官引用 (14件)

特許第6194741号
絶縁ゲート半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-331321 出願人：関西電力株式会社, 株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-103197 出願人：新電元工業株式会社

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