特許

J-GLOBAL ID：201203052847419440

化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法

発明者： 稲崎 毅 ,  土村 智孝 ,  滝沢 裕雄
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-023412
公開番号（公開出願番号）：特開2012-163725
出願日： 2011年02月04日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】フォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に高い感度、高い解像性(例えば、高い解像力)、良好な露光ラチチュード(EL)及び良好なラインエッジラフネス(LER)を同時に満足する化学増幅ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される繰り返し単位、下記一般式(2)で表される繰り返し単位及び下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)を含有する、化学増幅ポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位、下記一般式(2)で表される繰り返し単位及び下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物(A)を含有する、化学増幅ポジ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14

FI (4件)：

G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14

Fターム (63件)：

2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF27P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AH05 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ02X ,  2H125AJ03X ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ43X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ47X ,  2H125AJ48X ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN63P ,  2H125AN67P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA08 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4J100AB00R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03R ,  4J100BA05Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA28P ,  4J100BA28Q ,  4J100BA34Q ,  4J100BA39P ,  4J100BA40P ,  4J100BA54P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB18P ,  4J100BC04P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC49Q ,  4J100BC49S ,  4J100BC65Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38